NANOGRINDER/4 Hochpräzise Waferschleifmaschine
Hochpräzise Waferschleifmaschine mit zwei Spindeln und vollautomatischer Kassette-zu-Kassette-Bearbeitung.
Einsatzgebiet
Vollautomatisches Vorder- und Rückseitenschleifen von Halbleiterwafern bis zu 300 mm Durchmesser. Dünnschleifen von Wafern bis zu 130 µm Enddicke.
NANOGRINDER/4 Details
Spindeln
Die Maschine ist mit zwei voneinander unabhängigen Spindeln (mechaisch gelagert max. 4000min-1; luftgelagert max. 6000 min-1) ausgerüstet, eine Spindelposition kann mit einer TWINSPINDEL ausgestattet werden.
Feinzustellung
Jede Spindel ist auf einen unabhängigen Zustellsystem montiert. Somit sind alle Zustellparameter für jede Spindel getrennt programmierbar. Der kleinste Zustellschritt beträgt 0,1 µm.
Rundtisch
In den Rundtisch sind 4 Vakuum-Rotationschucks (Poröskeramik) eingebaut. der rundtisch übernimmt den Transport der Wafer den einzelnen Bearbeitungsstationen (Belade-, Schrupp-, Schlicht- und Entladeposition).
Handling
Die Maschine ist mit zwei Handlingstationen (Front- und Rückseite) ausgestattet. Jedes Handling verfügt über einen Hochgeschwindigkeits-Roboter, eine Reinigungs- und eine Zentrierstation. im Front-Handling sind zusätzlich die Kassetten (max. 3) untergebracht.
In-Prozess-Messung
Während der Schleifprozesse wird die Waferdicke ständig mit mechanischen Messtastern gemessen (Differenzmessung). Da somit die momentane Waferdicke immer bekannt ist, kann die Feinzustellung sehr präzise bei Erreichen der vorgegebenen Dicke gestoppt werden. Thermische Effekte und Einflüsse aus Schleifscheiben-verschleiss haben keinen Einfluss.
Abbildungen
- NANOGRINDER/4
- Schleifkopf
- Kassettenablage
- Messtaster - Differenzmessung
Technische Daten
| Waferdurchmesser | 3 inch bis 300 mm |
| Spindeln | |
| Drehzahl | 100 - 4000 min-1(mech)/ 100 - 6000min-1 (luftlg) |
| Leistung | 4 kW |
| Schleifscheiben | 300 mm Diamant |
| Feinzustellung | |
| Zustellgeschwindigkeit | 0,001 - 50 mm/min |
| Min. Zustellschritt | 0,1 µm |
| Wegauflösung | 0,1 µm |
| In-Prozess-Messung | |
| Bereich | 1200 µm |
| Auflösung | 0,08 µm |
| Genauigkeit | 0,1 µm |
| Rundtisch | |
| Anzahl Chucks | 4 |
| Typ der Chucks | Poröskeramik |
| Drehzahl | 5 - 417 min-1 |
| Durchsatz | 60 Wafer/h (prozessabhängig) |
| Präzision | |
| TTV | <1 µm |
| Streuung | <1µm |
| Oberfläche | Rmax = <0.14 µm (prozessabhängig) |
| Gewicht | 6500 kg |
| Platzbedarf | 3600 x 5500 mm |