MULTINANO/3-300 Hochpräzise Waferschleifmaschine mit 2 Spindeln
Hochpräzise Waferschleifmaschine mit zwei Spindeln und vollautomatischer Kassette-zu-Kassette-Bearbeitung
Einsatzgebiet
Vollautomatisches Schleifen von Halbleiterwafern bis zu 300 mm Durchmesser.
Dünnschleifen von Wafern bis zu 100 µm Enddicke.
MULTINANO/3-300 Details
Spindeln
Die Maschine ist mit zwei voneinander unabhängigen Spindeln (mechanisch gelagert max. 4000min-1; luftgelagert max. 6000 min-1) ausgerüstet, eine Spindelposition kann mit einer TWINSPINDEL ausgestattet werden.
Feinzustellung
Jede Spindel ist auf einen unabhängigen Zustellsystem montiert. Somit sind alle Zustellparameter für jede Spindel getrennt programmierbar. Der kleinste Zustellschritt beträgt 0,1 µm.
Rundtisch
In den Rundtisch sind 3 Vakuum-Rotationschucks (Poröskeramik) eingebaut. Der Rundtisch übernimmt den Transport der Wafer zu den einzelnen Bearbeitungsstationen (Belade-, Schrupp-, Schlicht- und Entladeposition).
Handling
Die Maschine ist mit einem Handling ausgestattet. Das Handling verfügt über einen Hochgeschwindigkeits-Roboter, ein mechanisches Transportsystem, eine Reinigungs- und eine Zentrierstation sowie die Kassetten (max.4).
In-Prozess-Messung
Während der Schleifprozesse wird die Waferdicke ständig mit einem mechanischen Messtaster gemessen. Da somit die momentane Waferdicke immer bekannt ist, kann die Feinzustellung sehr präzise bei Erreichen der vorgegebenen Dicke gestoppt werden. Thermische Effekte und Einflüsse aus Schleifscheiben-verschleiss haben keinen Einfluss auf das Ergebnis.
Abbildungen
- MULTINANO/3-300
- Twinspindel
- Waferhandling
- Touchpanel
Technische Daten
| Waferdurchmesser | 3 inch bis 300 mm |
| Spindeln | |
| Drehzahl | 100 - 4000 min-1 (mech)/ 100 - 6000min-1 (luftlager) |
| Leistung | 4 kW |
| Schleifscheiben | 250 mm Diamant |
| Feinzustellung | |
| Zustellgeschwindigkeit | 0,001 - 50 mm/min |
| Min. Zustellschritt | 0,1 µm |
| Wegauflösung | 0,1 µm |
| In-Prozess-Messung | |
| Bereich | 0-1200 µm |
| Auflösung | 0,06 µm |
| Genauigkeit | 0,1 µm |
| Rundtisch | |
| Anzahl Chucks | 3 |
| Typ der Chucks | Poröskeramik |
| Drehzahl | 0 - 600 min-1 |
| Durchsatz | 50 Wafer/h (prozessabhängig) |
| Präzision | |
| TTV | <2 µm |
| Streuung | <2µm |
| Oberfläche | Rmax = <0,01 µm (prozessabhängig) |
| E-Anschluss | 20 kW |
| Gewicht | 6500 kg |
| Platzbedarf | 3914 x 2530 mm |